Hersteller Produktnummer:
MTY100N10E
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MTY100N10E-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 100A TO264
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-264
Inventar:
12839620
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MTY100N10E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
378 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10640 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-264
Paket / Koffer
TO-264-3, TO-264AA
Basis-Produktnummer
MTY10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Andere Namen
MTY100N10EOS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
APT10M09LVFRG
HERSTELLER
Microchip Technology
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
APT10M09LVFRG-DG
Einheitspreis
21.66
ERSATZART
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