Hersteller Produktnummer:
FQA65N20
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQA65N20-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 65A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventar:
12839628
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FQA65N20 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 32.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7900 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
310W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3PN
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
FQA65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
FQA65N20OS
FQA65N20FS
FQA65N20-DG
FQA65N20FS-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTQ74N20P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
3
TEILNUMMER
IXTQ74N20P-DG
Einheitspreis
3.40
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