Hersteller Produktnummer:
MMBTH11
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MMBTH11-DG
Beschreibung:
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 25V 50mA 650MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
12839546
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MMBTH11 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
25V
Frequenz - Übergang
650MHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
-
Gewinnen
-
Leistung - Max
225mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 4mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50mA
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Basis-Produktnummer
MMBTH11
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-MMBTH11
MMBTH11-DG
MMBTH11TR
ONSONSMMBTH11
2832-MMBTH11TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
MMBTH10-4LT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
56004
TEILNUMMER
MMBTH10-4LT1G-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
Similar
Teilenummer
BCW31,215
HERSTELLER
NXP USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
42000
TEILNUMMER
BCW31,215-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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MMBTH10LT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
MMBTH10LT1G-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
Direct
Teilenummer
MMBTH10-7-F
HERSTELLER
Diodes Incorporated
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26224
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MMBTH10-7-F-DG
Einheitspreis
0.02
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