Hersteller Produktnummer:
MMBTH10-7-F
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
MMBTH10-7-F-DG
Beschreibung:
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 25V 50mA 650MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
26224 Stück Neu Original Auf Lager
12887116
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MMBTH10-7-F Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
25V
Frequenz - Übergang
650MHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
-
Gewinnen
-
Leistung - Max
300mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 4mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50mA
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Basis-Produktnummer
MMBTH10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
MMBTH10-FDIDKR
MMBTH10-FDICT
MMBTH107F
MMBTH10-FDITR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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