HUFA75429D3ST
Hersteller Produktnummer:

HUFA75429D3ST

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

HUFA75429D3ST-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 20A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

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HUFA75429D3ST Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
UltraFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1090 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
HUFA75

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HUFA75429D3ST
HTML-Datenblatt
HUFA75429D3ST-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
STD30NF06LT4
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
2998
TEILNUMMER
STD30NF06LT4-DG
Einheitspreis
0.57
ERSATZART
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Teilenummer
IPD25N06S4L30ATMA2
HERSTELLER
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16688
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IPD25N06S4L30ATMA2-DG
Einheitspreis
0.36
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certification_01
certification_02
certification_03
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cr
certification_015
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