Hersteller Produktnummer:
FDP2670
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDP2670-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 19A (Ta) 93W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12837598
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FDP2670 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1320 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
93W (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FDP26
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
400
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PHP20NQ20T,127
HERSTELLER
NXP Semiconductors
VERFÜGBARE ANZAHL
8796
TEILNUMMER
PHP20NQ20T,127-DG
Einheitspreis
1.02
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