Hersteller Produktnummer:
FQPF630
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQPF630-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 6.3A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
12839249
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FQPF630 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 3.15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
38W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FQPF6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
FQPF630-DG
2832-FQPF630
FQPF630OS
2156-FQPF630-488
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RCX080N25
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
246
TEILNUMMER
RCX080N25-DG
Einheitspreis
0.43
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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