Hersteller Produktnummer:
HUF75329G3
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
HUF75329G3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 49A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 49A (Tc) 128W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
12839254
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HUF75329G3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
UltraFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 49A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1060 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
128W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
HUF75
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
150
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTH80N075L2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
226
TEILNUMMER
IXTH80N075L2-DG
Einheitspreis
4.29
ERSATZART
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