Hersteller Produktnummer:
IRF630
Product Overview
Hersteller:
Harris Corporation
Teilenummer:
IRF630-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 9A (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
11535 Stück Neu Original Auf Lager
13077231
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IRF630 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Tube
Reihe
-
Verpackung
Tube
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
353
Andere Namen
2156-IRF630-HC
HARHARIRF630
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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