Hersteller Produktnummer:
FDZ3N513ZT
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDZ3N513ZT-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.96x0.96)
Inventar:
12838288
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDZ3N513ZT Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
3.2V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
462mOhm @ 300mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+5.5V, -0.3V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
85 pF @ 15 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 125°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
4-WLCSP (0.96x0.96)
Paket / Koffer
4-UFBGA, WLCSP
Basis-Produktnummer
FDZ3N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDZ3N513ZTCT
FDZ3N513ZTDKR
FDZ3N513ZTTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI8808DB-T2-E1
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
8727
TEILNUMMER
SI8808DB-T2-E1-DG
Einheitspreis
0.11
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FDP023N08B-F102
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
HUFA75343P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
FQD4P40TF
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
