Hersteller Produktnummer:
FDR6580
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDR6580-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 11.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Inventar:
12838297
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FDR6580 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 11.2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3829 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SuperSOT™-8
Paket / Koffer
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Basis-Produktnummer
FDR65
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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