FQB11P06TM
Hersteller Produktnummer:

FQB11P06TM

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FQB11P06TM-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 11.4A (Tc) 3.13W (Ta), 53W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

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FQB11P06TM Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
175mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.13W (Ta), 53W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FQB11P06

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FQB11P06TM
HTML-Datenblatt
FQB11P06TM-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800
Andere Namen
FQB11P06TM-DG
FQB11P06TMCT
FQB11P06TMDKR
FQB11P06TMTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IRF9Z34STRRPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
398
TEILNUMMER
IRF9Z34STRRPBF-DG
Einheitspreis
1.20
ERSATZART
Similar
Teilenummer
IRF9Z34STRLPBF
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Vishay Siliconix
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5359
TEILNUMMER
IRF9Z34STRLPBF-DG
Einheitspreis
0.79
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TEILNUMMER
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Einheitspreis
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