Hersteller Produktnummer:
FDP120AN15A0
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDP120AN15A0-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12837876
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FDP120AN15A0 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.8A (Ta), 14A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
770 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
65W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FDP120
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
400
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RCX120N25
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
RCX120N25-DG
Einheitspreis
1.05
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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