Hersteller Produktnummer:
FDC2512_F095
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDC2512_F095-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 1.4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventar:
12837902
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
wnTM
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDC2512_F095 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
425mOhm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
344 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SuperSOT™-6
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer
FDC2512
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF5802TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
8278
TEILNUMMER
IRF5802TRPBF-DG
Einheitspreis
0.17
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FDPF390N15A
MOSFET N-CH 150V 15A TO220F
HUFA76609D3S
MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
FQD13N10LTF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK