FDMT800120DC-22897
Hersteller Produktnummer:

FDMT800120DC-22897

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDMT800120DC-22897-DG

Beschreibung:

FET 120V 4.2 MOHM PQFN88
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 120 V 20A (Ta), 128A (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-Dual Cool™88

Inventar:

13001018
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

FDMT800120DC-22897 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
120 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Ta), 128A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7850 pF @ 60 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.2W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-Dual Cool™88
Paket / Koffer
8-PowerVDFN

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
488-FDMT800120DC-22897TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
taiwan-semiconductor

TSM80N950CP

800V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER

transphorm

TP65H050G4BS

650 V 34 A GAN FET

goford-semiconductor

G08N06S

MOSFET N-CH 60V 5A SOP-8

goford-semiconductor

GT095N10D5

N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15