GT095N10D5
Hersteller Produktnummer:

GT095N10D5

Product Overview

Hersteller:

Goford Semiconductor

Teilenummer:

GT095N10D5-DG

Beschreibung:

N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)

Inventar:

14841 Stück Neu Original Auf Lager
13001031
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GT095N10D5 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SGT
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
74W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PDFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
4822-GT095N10D5TR
3141-GT095N10D5CT
3141-GT095N10D5TR
3141-GT095N10D5DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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