Hersteller Produktnummer:
FDMS86200DC
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDMS86200DC-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 9.3A (Ta), 28A (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
12847666
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EINREICHEN
FDMS86200DC Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
Dual Cool™, PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.3A (Ta), 28A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 9.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2955 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.2W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
FDMS86200
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDMS86200DCTR
FDMS86200DC-DG
FDMS86200DCCT
2156-FDMS86200DC-488
FDMS86200DCDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSC190N15NS3GATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
9937
TEILNUMMER
BSC190N15NS3GATMA1-DG
Einheitspreis
1.26
ERSATZART
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