Hersteller Produktnummer:
FDP18N50
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDP18N50-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 18A (Tc) 235W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12847686
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDP18N50 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
UniFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
265mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2860 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
235W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FDP18
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2156-FDP18N50-OS
ONSONSFDP18N50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTP460P2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
270
TEILNUMMER
IXTP460P2-DG
Einheitspreis
3.30
ERSATZART
Similar
Teilenummer
IXFP26N50P3
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
60
TEILNUMMER
IXFP26N50P3-DG
Einheitspreis
4.46
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BS107ARL1
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
FDMS8050ET30
MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
IPAN80R450P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3-31
