Hersteller Produktnummer:
FDMA86108LZ
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDMA86108LZ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 2.2A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Inventar:
12846923
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FDMA86108LZ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
243mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
163 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.4W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-MicroFET (2x2)
Paket / Koffer
6-WDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
FDMA86108
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDMA86108LZDKR
FDMA86108LZCT
FDMA86108LZTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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