Hersteller Produktnummer:
FDP8D5N10C
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDP8D5N10C-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 76A (Tc) 2.4W (Ta), 107W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
785 Stück Neu Original Auf Lager
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FDP8D5N10C Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 76A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 130µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2475 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.4W (Ta), 107W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FDP8D5
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2156-FDP8D5N10C-488
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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