Hersteller Produktnummer:
FDI038AN06A0
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDI038AN06A0-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 17A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
12851256
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDI038AN06A0 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
310W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262 (I2PAK)
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
FDI038
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
2832-FDI038AN06A0
2832-FDI038AN06A0-488
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDI030N06
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
FDI030N06-DG
Einheitspreis
2.27
ERSATZART
Similar
Teilenummer
IRFSL3206PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1600
TEILNUMMER
IRFSL3206PBF-DG
Einheitspreis
1.22
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
R6520ENJTL
MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
FDBL9403-F085
MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
R6511KNJTL
MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
