Hersteller Produktnummer:
FDI030N06
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDI030N06-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
12849437
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FDI030N06 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Last Time Buy
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9815 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
231W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262 (I2PAK)
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
FDI030
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2832-FDI030N06-488
2832-FDI030N06
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NTBGS2D5N06C
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
796
TEILNUMMER
NTBGS2D5N06C-DG
Einheitspreis
2.74
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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