Hersteller Produktnummer:
FDFS2P753AZ
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDFS2P753AZ-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 3A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12847471
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FDFS2P753AZ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
455 pF @ 15 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
FDFS2
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDFS2P753AZDKR
FDFS2P753AZCT
FDFS2P753AZTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDC658AP
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
915
TEILNUMMER
FDC658AP-DG
Einheitspreis
0.16
ERSATZART
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