Hersteller Produktnummer:
FQP6N80
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQP6N80-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 5.8A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 5.8A (Tc) 158W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12847478
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FQP6N80 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.95Ohm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
158W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FQP6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STP5NK80Z
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
240
TEILNUMMER
STP5NK80Z-DG
Einheitspreis
0.85
ERSATZART
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STP4N80K5
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