Hersteller Produktnummer:
FDFME3N311ZT
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDFME3N311ZT-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 1.8A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
Inventar:
12850488
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FDFME3N311ZT Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 1.6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
75 pF @ 15 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
1.4W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-MicroFET (1.6x1.6)
Paket / Koffer
6-UFDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
FDFME3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
FDFME3N311ZT-DG
FDFME3N311ZTTR
FDFME3N311ZTCT
FDFME3N311ZTDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SSM6H19NU,LF
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
54777
TEILNUMMER
SSM6H19NU,LF-DG
Einheitspreis
0.07
ERSATZART
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