Hersteller Produktnummer:
FDD86102
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDD86102-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 8A (Ta), 36A (Tc) 3.1W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
9890 Stück Neu Original Auf Lager
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FDD86102 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Ta), 36A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1035 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 62W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FDD861
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDD86102TR
FDD86102DKR
2832-FDD86102TR
FDD86102CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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