Hersteller Produktnummer:
FDD86569-F085
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDD86569-F085-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 150W (Tj) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
13945 Stück Neu Original Auf Lager
12837526
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FDD86569-F085 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Last Time Buy
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2520 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tj)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FDD86569
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDD86569-F085CT
FDD86569-F085DKR
FDD86569_F085TR-DG
FDD86569_F085
FDD86569_F085CT-DG
FDD86569_F085-DG
FDD86569_F085DKR-DG
FDD86569-F085TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD90N06S4L06ATMA2
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
3430
TEILNUMMER
IPD90N06S4L06ATMA2-DG
Einheitspreis
0.52
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