Hersteller Produktnummer:
FDD6676AS
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDD6676AS-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 90A (Ta) 70W (Ta) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12851322
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FDD6676AS Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
90A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2500 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
70W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FDD667
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFR3709ZTRLPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
5910
TEILNUMMER
IRFR3709ZTRLPBF-DG
Einheitspreis
0.30
ERSATZART
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TEILNUMMER
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0.17
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