HUF75639S3
Hersteller Produktnummer:

HUF75639S3

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

HUF75639S3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventar:

800 Stück Neu Original Auf Lager
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HUF75639S3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
UltraFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262 (I2PAK)
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
HUF75639

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HUF75639G3, P3, S3, S3S

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800
Andere Namen
2832-HUF75639S3-488
2832-HUF75639S3

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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