MMSF3P02HDR2

Hersteller Produktnummer:

MMSF3P02HDR2

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

MMSF3P02HDR2-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC

Detaillierte Beschreibung:

P-Channel 20 V 5.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

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12847422

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MMSF3P02HDR2 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

20 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

5.6A (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 3A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

46 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

1400 pF @ 16 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

8-SOIC

Paket / Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Basis-Produktnummer

MMSF3P

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

MMSF3P02HDR2-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

2,500

Andere Namen

MMSF3P02HDR2OSTR

MMSF3P02HDR2OSCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

RoHS non-compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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