Hersteller Produktnummer:
FDC6561AN
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDC6561AN-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 2.5A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Inventar:
15661 Stück Neu Original Auf Lager
12848019
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FDC6561AN Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.2nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
220pF @ 15V
Leistung - Max
700mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
SuperSOT™-6
Basis-Produktnummer
FDC6561
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDC6561ANDKR
2832-FDC6561AN
FDC6561ANCT
FDC6561ANTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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