Hersteller Produktnummer:
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
FF11MR12W1M1B11BOMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A Chassis Mount Module
Inventar:
12848069
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FF11MR12W1M1B11BOMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolSiC™+
Produktstatus
Obsolete
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 100A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
5.55V @ 40mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7950pF @ 800V
Leistung - Max
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Paket / Koffer
Module
Gerätepaket für Lieferanten
Module
Basis-Produktnummer
FF11MR12
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
24
Andere Namen
2156-FF11MR12W1M1B11BOMA1
INFINFFF11MR12W1M1B11BOMA1
FF11MR12W1M1_B11
SP001602204
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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