Hersteller Produktnummer:
FDC636P
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDC636P-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2.8A SUPERSOT6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 2.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventar:
12848361
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FDC636P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 2.8A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
390 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SuperSOT™-6
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer
FDC636
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDC636P-DG
FDC636PCT
FDC636PDKR
FDC636PTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NTGS3443T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
36863
TEILNUMMER
NTGS3443T1G-DG
Einheitspreis
0.14
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