Hersteller Produktnummer:
FDD6N50TM-WS
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDD6N50TM-WS-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 6A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12848366
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FDD6N50TM-WS Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
UniFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
89W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FDD6N50
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDD6N50TM-WSDKR
FDD6N50TM-WSTR
FDD6N50TM_WSCT
FDD6N50TMWS
FDD6N50TM_WSDKR
FDD6N50TM_WSCT-DG
FDD6N50TM_WSTR-DG
FDD6N50TM_WSDKR-DG
FDD6N50TM_WS
FDD6N50TM_WSTR
FDD6N50TM-WSCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK7P50D(T6RSS-Q)
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TEILNUMMER
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