Hersteller Produktnummer:
FDC6301N
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDC6301N-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 25V 220mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Inventar:
15799 Stück Neu Original Auf Lager
12850990
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDC6301N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
220mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9.5pF @ 10V
Leistung - Max
700mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
SuperSOT™-6
Basis-Produktnummer
FDC6301
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDC6301NDKR
FDC6301NCT
ONSFSCFDC6301N
2156-FDC6301N-OS
FDC6301NTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FDMS3669S
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
EFC2J017NUZTDG
MOSFET 2N-CH 6WLCSP
AO4818BL
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
