Hersteller Produktnummer:
FDMS3669S
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDMS3669S-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 13A, 18A 1W Surface Mount Power56
Inventar:
190 Stück Neu Original Auf Lager
12851000
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FDMS3669S Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A, 18A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.7V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1605pF @ 15V
Leistung - Max
1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Gerätepaket für Lieferanten
Power56
Basis-Produktnummer
FDMS3669
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDMS3669SCT
FDMS3669SDKR
2156-FDMS3669S-OS
2832-FDMS3669STR
FDMS3669STR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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