Hersteller Produktnummer:
FDB8030L
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDB8030L-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 80A (Ta) 187W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12839739
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FDB8030L Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10500 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
187W (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FDB803
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
2832-FDB8030LTR
FDB8030LDKR
FDB8030LTR
FDB8030LCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STB80NF10T4
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
775
TEILNUMMER
STB80NF10T4-DG
Einheitspreis
1.46
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