Hersteller Produktnummer:
BSC200P03LSGAUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSC200P03LSGAUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 9.9/12.5A 8TDSON
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 9.9A (Ta), 12.5A (Tc) 2.5W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventar:
12839748
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BSC200P03LSGAUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.9A (Ta), 12.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2430 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 63W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-1
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSC200P03LSG
SP000359668
BSC200P03LS G
BSC200P03LS GINCT-DG
BSC200P03LSGAUMA1CT
BSC200P03LS GINTR-DG
BSC200P03LS GINCT
BSC200P03LS G-DG
BSC200P03LS GINDKR-DG
BSC200P03LS GINDKR
BSC200P03LSGAUMA1TR
BSC200P03LS GINTR
BSC200P03LSGAUMA1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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