Hersteller Produktnummer:
FDB5645
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDB5645-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 80A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12838832
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FDB5645 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4468 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FDB564
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPB081N06L3GATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
5151
TEILNUMMER
IPB081N06L3GATMA1-DG
Einheitspreis
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