Hersteller Produktnummer:
IPB081N06L3GATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB081N06L3GATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
5151 Stück Neu Original Auf Lager
12803619
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IPB081N06L3GATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 34µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4900 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
79W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB081
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB081N06L3 GDKR-DG
IPB081N06L3GATMA1DKR
IPB081N06L3 GDKR
IPB081N06L3G
SP000398076
IPB081N06L3GATMA1CT
IPB081N06L3 GCT-DG
IPB081N06L3 GTR-DG
IPB081N06L3GATMA1TR
IPB081N06L3 G-DG
IPB081N06L3 GCT
IPB081N06L3 G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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