FDB3632_SB82115
Hersteller Produktnummer:

FDB3632_SB82115

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDB3632_SB82115-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

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FDB3632_SB82115 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
310W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FDB363

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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