FCH35N60
Hersteller Produktnummer:

FCH35N60

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FCH35N60-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 312.5W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventar:

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FCH35N60 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
SuperMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
98mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
181 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6640 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
312.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
FCH35

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FCH35N60
HTML-Datenblatt
FCH35N60-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
450

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
R6046FNZ1C9
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
278
TEILNUMMER
R6046FNZ1C9-DG
Einheitspreis
7.52
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