Hersteller Produktnummer:
FDB12N50FTM-WS
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDB12N50FTM-WS-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
39 Stück Neu Original Auf Lager
12839082
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FDB12N50FTM-WS Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
UniFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1395 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
165W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FDB12N50
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
FDB12N50FTM-WSTR
FDB12N50FTM_WS-DG
FDB12N50FTM-WSCT
FDB12N50FTM_WSDKR-DG
FDB12N50FTM_WS
FDB12N50FTM_WSDKR
FDB12N50FTM_WSCT-DG
FDB12N50FTM_WSCT
FDB12N50FTM_WSTR-DG
FDB12N50FTM-WSDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDB20N50F
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
12950
TEILNUMMER
FDB20N50F-DG
Einheitspreis
1.47
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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