FDS6680
Hersteller Produktnummer:

FDS6680

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDS6680-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 11.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

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FDS6680 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2070 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
FDS66

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FDS6680
HTML-Datenblatt
FDS6680-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDS6680DKR
FDS6680CT
FDS6680TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IRF7821TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
16602
TEILNUMMER
IRF7821TRPBF-DG
Einheitspreis
0.37
ERSATZART
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Teilenummer
FDS6680A
HERSTELLER
onsemi
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Einheitspreis
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cr
certification_015
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