Hersteller Produktnummer:
FCPF850N80Z
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCPF850N80Z-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 6A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
1000 Stück Neu Original Auf Lager
12847248
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FCPF850N80Z Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
SuperFET® II
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 600µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1315 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
28.4W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FCPF850
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2156-FCPF850N80Z-OS
ONSONSFCPF850N80Z
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
R6007ENX
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
129
TEILNUMMER
R6007ENX-DG
Einheitspreis
0.92
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