Hersteller Produktnummer:
FCPF650N80Z
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCPF650N80Z-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
986 Stück Neu Original Auf Lager
12851558
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FCPF650N80Z Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
SuperFET® II
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 800µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1565 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
30.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FCPF650
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
ONSONSFCPF650N80Z
2156-FCPF650N80Z-OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK8A65D(STA4,Q,M)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
53
TEILNUMMER
TK8A65D(STA4,Q,M)-DG
Einheitspreis
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