Hersteller Produktnummer:
IPA60R650CEXKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPA60R650CEXKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220-FP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
383 Stück Neu Original Auf Lager
12802759
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IPA60R650CEXKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™ CE
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
28W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-FP
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
IPA60R650
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2156-IPA60R650CEXKSA1
SP001276044
ROCINFIPA60R650CEXKSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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