Hersteller Produktnummer:
FCPF600N65S3R0L-F154
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCPF600N65S3R0L-F154-DG
Beschreibung:
POWER SUPERFET MOSFET N-CHANNEL
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 24W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
12949892
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FCPF600N65S3R0L-F154 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SuperFET® III
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 120µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
465 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
24W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FCPF600
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
488-FCPF600N65S3R0L-F154DKRINACTIVE
488-FCPF600N65S3R0L-F154CT
488-FCPF600N65S3R0L-F154TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIHA6N65E-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SIHA6N65E-GE3-DG
Einheitspreis
0.76
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
NTNS3C94NZT5G
MOSFET N-CHANNEL 12V 384MA
FDWS86381-F085
MOSFET N-CH 80V 30A POWER56
TSM60N380CI C0G
MOSFET N-CH 600V 11A ITO220AB
