FCPF260N65FL1-F154
Hersteller Produktnummer:

FCPF260N65FL1-F154

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FCPF260N65FL1-F154-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 15A TO220F-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventar:

12979645
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

FCPF260N65FL1-F154 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
FRFET®, SuperFET® II
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
260mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2340 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
36W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FCPF260

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
488-FCPF260N65FL1-F154

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
onsemi

NVMFWS003P03P8ZT1G

PFET SO8FL -30V 3MO

infineon-technologies

IAUC41N06S5L100ATMA1

MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33

global-power-technologies-group

GCMX080B120S1-E1

SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227