Hersteller Produktnummer:
GCMX080B120S1-E1
Product Overview
Hersteller:
SemiQ
Teilenummer:
GCMX080B120S1-E1-DG
Beschreibung:
SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 142W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Inventar:
60 Stück Neu Original Auf Lager
12980096
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GCMX080B120S1-E1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
SemiQ
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1336 pF @ 1000 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
142W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-227
Paket / Koffer
SOT-227-4, miniBLOC
Basis-Produktnummer
GCMX080
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10
Andere Namen
1560-GCMX080B120S1-E1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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